師資
主要工作業(yè)績：
長期從事半導體相關的研究工作,，包括InP,GaAs,ZnSe,ZnO等。2006回國以來主要進行第三代半導體GaN材料與器件研究,，特別是藍綠光垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）等,，是大陸唯一研制出該器件的課題組負責人,，并且在綠色VCSEL方面處于國際先進水平,。采用量子點,，將該器件的發(fā)光波長從國際上報道的503 nm延伸到了565 nm,，并實現(xiàn)了室溫連續(xù)激射，閾值電流達到國際最好,；發(fā)明了利用藍光量子阱中局域態(tài)和諧振腔模式相耦合,，實現(xiàn)綠光VCSEL的新方法；首次在InGaN量子阱中實現(xiàn)了激子極化激元的室溫激射;首次實現(xiàn)深紫外波段VCSEL(276 nm),。
至今發(fā)表論文200余篇,，授權發(fā)明專利20余項。
教育經(jīng)歷：
1979.09—1983.07 蘭州大學物理系半導體專業(yè)學習,，獲理學學士學位
1983.09—1986.02 河北半導體研究所（中國電子科技集團第十三研究所）半導體物理與器件專業(yè)研究生學習,，獲工學碩士學位
1989.04—1990.03 日本東京大學進修學習
1990.04—1994.06 日本東京大學研究生院工學系研究科應用物理專業(yè)研究生學習，獲工學博士學位
工作經(jīng)歷：
1986.03—1989.03 河北半導體研究所（中國電子科技集團第十三研究所）
1994.07—1998.03 日本理化學研究所研究員
1998.03—1999.03 日本夏普株式會社電子器件研究所主任
1999.04—2005.03 日本理化學研究所研究員
2005.04—2005.12 日本科學技術振興機構研究員,；理化學研究所研究員
2006.01—2008.07 廈門大學物理與機電工程學院,，閩江學者特聘教授(博導)
2008.07—2011.08 廈門大學薩本棟微機電研究中心副主任；物理與機電工程學院,，閩江學者特聘教授
2011.08—2013.01 廈門大學物理與機電工程學院,，閩江學者特聘教授
2013.01—2013.02 廈門大學信息科學與技術學院，閩江學者特聘教授
2013.02—2017.09 廈門大學信息科學與技術學院電子工程系主任,，閩江學者特聘教授
2017.09—2023.12.26 廈門大學電子科學與技術學院（國家示范性微電子學院）副院長,、閩江學者特聘教授
2023.12.28—至今 南方科技大學工學院納米科學與應用研究院兼半導體學院（國家卓越工程師學院）教授
在研項目（主持）：
國家基金委重點項目（GaN基紫外VCSEl關鍵技術研究，2023.01-2027.12）
國家基金委聯(lián)合基金項目（GaN基綠光VCSEL研究,，2022.01-2025.12）
聯(lián)合實驗室項目（南方科技大學納米科學與應用研究院-江西德瑞光電技術有限公司 先進光電器件及應用聯(lián)合實驗室,，2024.08-2029.07）
已結題項目（主持）：
國家863項目
國家重點研發(fā)計劃項目
國家基金委聯(lián)合基金項目（2016.01-2019.12）
國家基金委面上項目（共計4項）
國家科工局基礎科學挑戰(zhàn)專題項目
廈門市科技項目
榮譽、受賞,、社會兼職：
福建省自然科學三等獎
廣東省科技進步二等獎
入選愛思唯爾（Elsevier）社發(fā)布的2014~2024年中國高被引學者榜單
福建省閩江學者特聘教授
福建省高層次A類人才
四川省千人計劃
廈門大學南強重點崗位教授
鵬城孔雀計劃特聘崗位A檔
任SCI收錄雜志Semiconductor Science and Technology 主編(Editor-in-Chief),，Nano-Micro Letters和EI收錄《發(fā)光學報》編委。
教育部 “紫外光發(fā)射材料與技術”和“發(fā)光與光信息技術”重點實驗室學術委員會成員,。
氮化物半導體領域國際會議ICNS (International Conference on Nitride Semiconductors), IWN (International Workshop on Nitride Semiconductors) and APWS (Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors)程序委員會成員,。
曾任第十二屆廈門市政協(xié)委員。
發(fā)表論文（摘錄）：
1. W. Ou, Y. Mei, H. Long, Y. K. Wang, T. Yang, Y. H. Chen, L. Y. Ying, Z. M. Zheng and B. P. Zhang, "Orthogonally and linearly polarized green emission from a semipolar InGaN based microcavity" Nanophotonics, 13(2023): 75-83.
2. T. Yang, Y. H. Chen, Y. C. Wang, W. Ou, L. Y. Ying, Y. Mei, A. Q. Tian, J. P. Liu, H. C. Guo and B. P. Zhang, "Green Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on InGaN Quantum Dots and Short Cavity", Nano-Micro Letters, 15(2023): 223.
3. X. Hou, T. Yang, S. S. Fan, H. Xu, D. Lida, Y. J. Liu, Y. Mei, G. E. Weng, S. Q. Chen, Weng,B. P. Zhang and K. Ohkawa, "Optical properties of InGaN-based red multiple quantum wells", Applied physics letters, 26(2022): 120.
4. Z. M. Zheng, Y. K. Wang, J. Hoo, S. P. Guo, Y. Mei, H. Long, L. Y. Ying, Z. W. Zheng and B. P. Zhang* “High-quality AlGaN epitaxial structures and realization of UVC vertical cavity surface-emitting lasers”, SCIENCE CHINA Materials, 66（2023）1978-1988.
5. Z. L. Lin, Y. Man, Z. Y. Lv, B. P. Zhang, H. Xu, D. Q. Yu, X. C. Yang, Y. He, X. W. Shi, L. Y. Ying and D. Zhang*, "High-Gain of NdIII Complex Doped Optical Waveguide Amplifiers at 1.06 and 1.31 μm Wavelengths Based on Intramolecular Energy Transfer Mechanism", Advanced Materials, 35(2023):2209239.
6. M.Yuan, M. K. Zhang, Z. Fu, S. Han, Y. N. Zhang, S. X.Wu, R. D. Hong, X. P. Chen, B. P. Zhang, J. Chen Wang and F. Zhang, "Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodetectors Based on Al Nanoparticle in 4H-SiC Microholes", ACS Appl. Nano Mater, 6(2023) :11.
7. Y. Mei, M. C. Xie, T. Yang, X. Hou, W. Ou, H. Long, L. Y. Ying, Y. J. Liu, G. E. Weng, S. Q. Chen and B. P. Zhang, “Improvement of the Emission Intensity of GaN-Based Micro-Light Emitting Diodes by a Suspended Structure”, ACS Photonics 2022, 9, 3967?3973.
8. Y. Mei, M. C. Xie, H. Long, L. Y. Ying, B. P. Zhang, "Low threshold GaN-based microdisk lasers on Silicon with high Q factor", J. Lightwave Technology, 40.9 (2022): 2952-2958.
9. （特邀）王玉坤,，鄭重明，龍浩,，梅洋,，張保平，“氮化物垂直腔面發(fā)射激光器的發(fā)展與挑戰(zhàn)”,， 光子學報,，51.2 (2022): 0251203.
10. S. Yang, H. Xu, H. Long, L. Y. Ying, R. H. Luo, M. J. Zhong, W. R. Lu, X. Hou, Y. Mei, B. P. Zhang, "GaN-Based Green Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes with Al mirror and copper plate ", Optics Letters, 47.11 (2022): 2858-2861.
11. W. Ou, Y. Mei, Daisuke Iida, H. Xu, M. C. Xie, Y. W. Wang, L. Y. Ying, B. P. Zhang, Kazuhiro Ohkawa, "InGaN-Based Orange-Red Resonant Cavity Light-Emitting Diodes"，J. Lightwave Technology, 40.13 (2022): 4337-4343.
12. X. Hou, S. S. Fan, H. Xu, Daisuke Iida, Y. J. Liu, Y. Mei, G. E. Weng, S. Q. Chen B. P. Zhang, K. Ohkawa, "Optical properties of InGaN-based red multiple quantum wells", Applied Physics Letters, 120.26 (2022): 261102.
13. Y. Mei, Y. H. Chen, L.Y. Ying, A. Q. Tian, G. E. Weng, H. Long, J. P. Liu and B. P. Zhang, "Dual-wavelength switching in InGaN quantum dot micro-cavity light-emitting diodes", Optics Express, 30.15 (2022): 27472-27481.
14. X. R. Luo, B. P. Zhang, Y. H. Lu, Y. Mei and L. Shen, "Advances in application of ultraviolet irradiation for biofilm control in water and wastewater infrastructure", Journal of Hazardous Materials, 421 (2022): 126682.
15. Y. Mei, Y. H. Chen, L. Y. Ying, Z. W. Zheng, H. Long, B. P. Zhang, "High Q factor Electrically Injected Green Micro Cavity", J. Lightwave Technology, 39.9 (2021): 2895-2900.
16. Z. M. Zheng, Y. Mei, H. Long, H. Jason, S. P. Guo, Q. X. Li, L.Y. Ying, Z. W. Zheng and B. P. Zhang, "AlGaN-based deep ultraviolet vertical cavity surface emitting laser", IEEE Electron Device Letters, 42.3 (2021): 375-378.
17. Y. Mei, T. R. Yang, W. Ou, Z. M. Zheng, H. Long, L. Y. Ying, B. P. Zhang, "Low-threshold wavelength-tunable ultraviolet vertical-cavity surface-emitting lasers from 376 to 409 nm", Fundamental Research, 1.6 (2021): 684-690.
18. X. Hou, S. S. Fan, D. Iida, Y. Mei, B. P. Zhang*, K. Ohkawa, "Photoluminescence of InGaN-based red multiple quantum wells", Optics Express, 29.19 (2021): 30237-30243.
19. J. Z. Wu, H. Long*, X. L. Shi, S. Luo, Z. H. Chen, Z. C. Feng, L. Y. Ying, Z. W. Zheng and B. P. Zhang, "Polariton lasing in InGaN quantum wells at room temperature", Opto-Electron Adv, 2.12 (2019): 190014-1.
20. (Invited) Y. Mei, R. B. Xu, L. Y. Ying, J. P. Liu, Z.W. Zheng, H. Long, B. P. Zhang, "Room temperature continuous wave lasing of GaN-based green vertical-cavity surface-emitting lasers", Gallium Nitride Materials and Devices XIV, 10918 (2019): 109181H; SPIE OPTO, 2019, San Francisco, California, United States
21. P. O. Nyangaresi, Y. Qin, G. L. Chen, B. P. Zhang, Y. H. Lu, and L. Shen "Comparison of the performance of pulsed and continuous UVC-LED irradiation in the inactivation of bacteria”, Water Research, 157 (2019): 218-227.
22. P. O. Nyangaresi, Y. Qin, G. L. Chen, B. P. Zhang, Y. H. Lu, and L. Shen, "Effects of single and combined UV-LEDs on inactivation and subsequent reactivation of E. coli in water disinfection", Water Research, 147 (2018): 331-341.
23. (REVIEW) H. C. Yu, Z. W. Zheng, Y. Mei, R. B. Xu, J. P. Liu, H. Yang, B. P. Zhang, T. C. Lu, and H. C. Kuo, "Progress and prospects of GaN-based VCSEL from near UV to green emission", Progress in Quantum Electronics, 57 (2018): 1–19.
24. Y. Mei, G. E. Weng, B. P. Zhang, J. P. Liu, W. Hofmann, L. Y. Ying, J. Y. Zhang, Z. C. Li, H. Yang and H. C. Kuo, "Quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers covering the “green gap”", Light: Science & Applications. 6.1 (2017): e16199.